Monocrystalline N - Tipo

UN. Lifetime del vettore superiore

• Il tipo Monocrystalline N - utilizza il substrato di silicio drogato di fosforo -} con perdite di ricombinazione del foro, riducendo significativamente l'elettrone -.
• Advanced hydrogenation passivation technology further enhances minority carrier diffusion length (>500μm), un booster per le prestazioni chiave per questa tecnologia.

B. Compatibilità del design bifacciale

• Supporta la generazione di energia bifacciale (fattore di bifacialità fino all'85%), catturando la luce riflessa dalle superfici del terreno per aumentare la resa totale del 10-25%.
• Sono disponibili opzioni di foglio di backeet trasparenti per applicazioni specializzate (ad es. Agrivoltaics), espandendo la versatilità del tipo monocristallino N -.

UN. Oxygen - crescita del cristallo libero

Il processo di Czochralski con il confinamento del campo magnetico raggiunge il contenuto di ossigeno<5ppma, minimizing thermal degradation risks.

B. Atomic - Ingegneria della superficie di livello

Nano - Surface anteriore testurato (dimensione della piramide<1μm) combined with triple-layer ARC coating:

Sio₂ (75nm) / sinₓ (80nm) / tio₂ (50nm) stack per<2% reflectivity across 300-1200nm spectrum.

C. Metallizzazione avanzata

9 - Il design della barra bus con pasta ibrida in argento-alluminio riduce la resistenza delle serie a 0,8 mΩ · cm².

Laser - emettitore selettivo assistito ottimizza la perdita di ombreggiatura a contatto frontale (<3%).

Specialized hydrophobic backsheet prevents biofilm accumulation, maintaining >Performance del 95% in acqua - ambienti ricchi.

Trasparenza personalizzabile (10-40%) per finestre solari e integrazione della facciata, con efficienza del modulo del 18%.

Dimensione del wafer 182mm ottimizzato per i layout sul tetto, raggiungendo 420W+ output in<1.8m² area.